ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এফইটি)

দ্য ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টর (FET) একটি বৈদ্যুতিন ডিভাইস যা একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র স্রোতের প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়। এটি বাস্তবায়নের জন্য ডিভাইসের গেট এবং সোর্স টার্মিনাল জুড়ে একটি সম্ভাব্য পার্থক্য প্রয়োগ করা হয়, যা ড্রেন এবং উত্স টার্মিনালের মধ্যে পরিবাহিতা পরিবর্তন করে যার ফলে এই টার্মিনালগুলিতে একটি নিয়ন্ত্রিত প্রবাহ প্রবাহিত হয়।

FETs বলা হয় ইউনিপোলার ট্রানজিস্টর কারণ এগুলি একক-ক্যারিয়ার-ধরণের ডিভাইস হিসাবে পরিচালনা করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। আপনি বিভিন্ন ধরণের ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর উপলভ্য পাবেন।

প্রতীক

এন-চ্যানেল এবং পি-চ্যানেল জেএফইটিগুলির জন্য গ্রাফিকাল চিহ্নগুলি নিম্নলিখিত চিত্রগুলিতে দৃশ্যমান করা যেতে পারে।

আপনি স্পষ্টভাবে লক্ষ্য করতে পারেন যে এন-চ্যানেল ডিভাইসের জন্য আমি যে দিকটি নির্দেশ করছি সেটির জন্য যে তীর চিহ্নগুলি অভ্যন্তরের দিকে নির্দেশ করছে_জি(গেট কারেন্ট) প্রবাহিত হওয়ার কথা যখন পি-এন জংশনটি এগিয়ে-পক্ষপাতদুষ্ট ছিল।

পি-চ্যানেল ডিভাইসের ক্ষেত্রে তীর চিহ্নের দিকের পার্থক্য বাদে শর্তগুলি অভিন্ন।

এফইটি এবং বিজেটির মধ্যে পার্থক্য

ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এফইটি) এমন একটি তিন-টার্মিনাল ডিভাইস যা বিজেটি ট্রানজিস্টরের বিস্তীর্ণ সার্কিট অ্যাপ্লিকেশনগুলির পরিপূরক হিসাবে পরিপূর্ণ।

আপনি বিজেটি এবং জেএফইটিগুলির মধ্যে উল্লেখযোগ্য প্রকরণগুলি খুঁজে পেতে পারলে, সেখানে বেশ কয়েকটি মিলের বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা নিম্নলিখিত আলোচনায় আলোচনা করা হবে। এই ডিভাইসগুলির মধ্যে প্রধান পার্থক্যটি বিজেটি হ'ল বর্তমান-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস যা চিত্র 5.1 এ হিসাবে উপস্থাপন করা হয়েছে, এবং জেএফইটি ট্রানজিস্টর একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস যা চিত্র 5.1 বিতে নির্দেশিত হয়েছে।

সহজ কথায় বলতে গেলে বর্তমান আই_গচিত্রে 5.1a আই এর স্তরের তাত্ক্ষণিক কাজ_খ। এফইটি জন্য বর্তমান আমি ভোল্টেজ ভি এর একটি ফাংশন_জিএসচিত্র 5.1b তে প্রদর্শিত হিসাবে ইনপুট সার্কিটকে দেওয়া হয়েছে।

উভয় ক্ষেত্রে আউটপুট সার্কিটের বর্তমান ইনপুট সার্কিটের একটি পরামিতি দ্বারা পরিচালিত হবে। একটি পরিস্থিতিতে একটি বর্তমান স্তর এবং অন্যটিতে একটি প্রয়োগ ভোল্টেজ।

বাইপোলার ট্রানজিস্টরের জন্য ঠিক যেমন এনএনএন এবং পিএনপি, আপনি এন-চ্যানেল এবং পি-চ্যানেল ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর পাবেন। তবে, আপনার মনে রাখা উচিত যে বিজেটি ট্রানজিস্টর একটি দ্বিপদী ডিভাইস প্রিফিক্স দ্বি-ইঙ্গিত দেয় যে বাহন স্তরটি দুটি চার্জ ক্যারিয়ার, ইলেক্ট্রন এবং গর্তের ফাংশন।

অন্যদিকে এফইটি হ'ল ক ইউনিপোলার ডিভাইস যা সম্পূর্ণরূপে হয় বৈদ্যুতিন (এন-চ্যানেল) বা গর্ত (পি-চ্যানেল) বাহনের উপর নির্ভর করে।

'ফিল্ড-এফেক্ট' শব্দটি এইভাবে ব্যাখ্যা করা যেতে পারে: কোনও শারীরিক যোগাযোগ ছাড়াই চুম্বকের দিকে ধাতব ফাইলগুলি আকর্ষণ করার জন্য একটি স্থায়ী চৌম্বকের শক্তি সম্পর্কে আমরা সকলেই অবগত। বেশিরভাগই এফইটির অভ্যন্তরে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বিদ্যমান চার্জ দ্বারা তৈরি করা হয় যা নিয়ন্ত্রণ এবং নিয়ন্ত্রিত পরিমাণের মধ্যে সরাসরি যোগাযোগ না করে আউটপুট সার্কিটের চালনের পথে প্রভাব ফেলে। সম্ভবত এফইটি এর অন্যতম গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য হ'ল এর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা।

1 থেকে বহু শতাধিক মেগোহামের পরিসরটি এটি বিজেটি কনফিগারেশনের সাধারণ ইনপুট প্রতিরোধের রেঞ্জকে উল্লেখযোগ্যভাবে ছাড়িয়ে যায়, লিনিয়ার এসি অ্যাম্প্লিফায়ার মডেলগুলি বিকাশের সময় অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য।

যাইহোক, বিজেটি ইনপুট সিগন্যালের পরিবর্তনের ক্ষেত্রে আরও বেশি সংবেদনশীলতা বহন করে। অর্থ, আউটপুট কারেন্টের পরিবর্তন সাধারণত বিজেটিগুলির জন্য তাদের ইনপুট ভোল্টেজগুলিতে একই পরিমাণের পরিবর্তনের জন্য FET এর তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি।

এ কারণে, বিজেটি এমপ্লিফায়ারগুলির জন্য স্ট্যান্ডার্ড এসি ভোল্টেজ লাভগুলি এফইটিগুলির তুলনায় অনেক বেশি হতে পারে।

সাধারণভাবে বলতে গেলে, এফইটিগুলি বিজেটি-র তুলনায় যথেষ্ট বেশি তাপীয়ভাবে স্থিতিস্থাপক এবং বিজেটি-র তুলনায় কাঠামোর ক্ষেত্রে প্রায়শই ছোট আকারের হয়, যা তাদেরকে সংহত-সার্কিট হিসাবে এম্বেড করার জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে (I_গ)চিপস.

অন্যদিকে কিছু এফইটিসের কাঠামোগত বৈশিষ্ট্যগুলি তাদের বিজেটি-র চেয়ে শারীরিক যোগাযোগের জন্য অতিরিক্ত সংবেদনশীল হতে দেয়।

আরও বিজেটি / জেএফইটি সম্পর্ক

• একটি বিজেটি ভি_থাকা= 0.7 ভি এর কনফিগারেশন বিশ্লেষণ শুরু করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ উপাদান।
• একইভাবে, প্যারামিটার I_জি= 0 এ জেফইটি সার্কিট বিশ্লেষণের জন্য সাধারণত বিবেচিত প্রথম জিনিস।
• বিজেটি কনফিগারেশনের জন্য, আমি_খএটি প্রায়শই প্রথম কারণ যা নির্ধারণ করা আবশ্যক হয়ে ওঠে।
• তেমনি, জেফেটের জন্য এটি সাধারণত ভি_জিএস।

এই নিবন্ধে আমরা জেএফইটি বা জংশন ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টরগুলিতে ফোকাস করব, পরবর্তী প্রবন্ধে আমরা ধাতব-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফ্যাসেট ট্রানজিস্টর বা এমওএস-এফইটি সম্পর্কে আলোচনা করব।

জেফেটগুলির নির্মাণ ও বৈশিষ্ট্যাদি

যেমনটি আমরা শিখেছি একটি জেফেটের 3 টি লিড রয়েছে leads তাদের মধ্যে একটি অন্য দুজনের মধ্যে বর্তমান প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করে।

বিজেটি-র মতো, জেএফইটি-তেও এন-চ্যানেল ডিভাইসগুলি পি-চ্যানেল অংশগুলির তুলনায় বেশি স্পষ্টভাবে ব্যবহৃত হয়, যেহেতু এন ডিভাইসগুলি পি-ডিভাইসের তুলনায় আরও দক্ষ এবং ব্যবহারকারী বান্ধব থাকে।

নিম্নলিখিত চিত্রটিতে আমরা এন-চ্যানেল জেফেটের মূল কাঠামো বা নির্মাণ দেখতে পাচ্ছি। আমরা দেখতে পাই যে এন-টাইপ রচনাটি পি-টাইপ স্তরগুলি জুড়ে মূল চ্যানেল গঠন করে।

এন-টাইপ চ্যানেলের উপরের অংশটি ড্রেন (ডি) নামক একটি টার্মিনালের সাথে ওহমিক যোগাযোগের মাধ্যমে যুক্ত হয়েছে, একই চ্যানেলের নীচের অংশটি সোর্স (এস) নামে অন্য একটি টার্মিনালের সাথে ওহমিক যোগাযোগের মাধ্যমে সংযুক্ত হয়েছে।

পি-টাইপ উপকরণের দু'টি একসাথে টার্মিনালের সাথে গেট (জি) হিসাবে পরিচিত। মূলত আমরা দেখতে পেয়েছি যে ড্রেন এবং উত্স টার্মিনালগুলি এন-টাইপ চ্যানেলের শেষ প্রান্তে যুক্ত হয়েছে। গেট টার্মিনালটি এক জোড়া পি-চ্যানেল উপাদানের সাথে যুক্ত হয়েছে।

যখন কোনও জেফেটে কোনও ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়নি, এর দুটি পি-এন জংশনগুলি কোনও পক্ষপাতদুষ্ট শর্ত ছাড়াই। এই পরিস্থিতিতে উপরের চিত্রে উল্লিখিত প্রতিটি সংযোগস্থলে একটি অবক্ষয় অঞ্চল রয়েছে, যা কোনও ডায়োড পি-এন অঞ্চলের মতো মনে হচ্ছে কোনও পক্ষপাতিত্ব ছাড়াই।

জলের সাদৃশ্য

একটি জেফেটের কাজ এবং নিয়ন্ত্রণের কাজগুলি নীচের পানির উপমা দিয়ে বোঝা যাবে।

এখানে, জলের চাপ উত্সের দিকে ড্রেন থেকে প্রয়োগ ভোল্টেজের মাত্রার সাথে তুলনা করা যেতে পারে।

জলের প্রবাহকে ইলেক্ট্রনের প্রবাহের সাথে তুলনা করা যেতে পারে। ট্যাপের মুখটি জেফেটের উত্স টার্মিনালটিকে অনুকরণ করে, যখন ট্যাপের উপরের অংশটি যেখানে জল বাধ্য হয় জেফেটের ড্রেন চিত্রিত করে।

ট্যাপের গিঁটটি জেফইটির গেটের মতো কাজ করে। একটি ইনপুট সম্ভাবনার সাহায্যে এটি ড্রেন থেকে উত্স পর্যন্ত বৈদ্যুতিনের প্রবাহ (চার্জ) নিয়ন্ত্রণ করে, ঠিক যেমন টোকা গিঁট মুখ খোলার উপরে জল প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করে।

জেএফইটি কাঠামো থেকে আমরা দেখতে পাচ্ছি যে ড্রেন এবং উত্স টার্মিনালগুলি এন-চ্যানেলের বিপরীত প্রান্তে রয়েছে এবং শব্দটি ইলেক্ট্রন প্রবাহের উপর ভিত্তি করে আমরা লিখতে পারি:

ভি_জিএস= 0 ভি, ভি_{ডি এস}কিছু ইতিবাচক মান

চিত্র 5.4 এ আমরা একটি ইতিবাচক ভোল্টেজ ভি দেখতে পাচ্ছি_{ডি এস}এন-চ্যানেল জুড়ে প্রয়োগ করা হয়েছে। ভিটি শর্ত তৈরি করতে গেট টার্মিনালটি সরাসরি উত্সের সাথে যুক্ত হয়_জিএস= 0 ভি। এটি গেট এবং উত্স টার্মিনালগুলিকে একটি অভিন্ন সম্ভাব্য হিসাবে সক্ষম করে এবং প্রতিটি পি-উপাদানের নিম্ন প্রান্তের অবনতি অঞ্চলে ফল দেয়, ঠিক যেমন আমরা উপরের প্রথম চিত্রটিতে কোনও বায়াস-শর্ত ছাড়াই দেখি।

যত তাড়াতাড়ি ভোল্টেজ ভি_ডিডি(= ভি)_{ডি এস}) প্রয়োগ করা হয়, ইলেক্ট্রনগুলি ড্রেন টার্মিনালের দিকে টানা হয়, বর্তমান আইডির প্রচলিত প্রবাহ তৈরি করে, চিত্র 5.4-এ উল্লিখিত হয়েছে।

চার্জের প্রবাহের দিকটি প্রকাশ করে যে নিকাশী এবং উত্স স্রোত প্রস্থে সমান (I)_ডি= আমি_এস)। চিত্র 5.4 এ বর্ণিত শর্ত অনুসারে, চার্জের প্রবাহটি বেশ সীমিতভাবে দেখায় এবং কেবল ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে এন-চ্যানেলের প্রতিরোধের দ্বারা প্রভাবিত হয়।

আপনি পর্যবেক্ষণ করতে পারেন যে উভয় পি-টাইপ পদার্থের শীর্ষ বিভাগের চারপাশে হ্রাস অঞ্চলটি আরও বড়। অঞ্চলের আকারের এই পার্থক্যটি চিত্র 5.5 এর মাধ্যমে আদর্শভাবে ব্যাখ্যা করা হয়েছে। আসুন কল্পনা করুন যে এন-চ্যানেলে অভিন্ন প্রতিরোধের রয়েছে, এটি চিত্র 5.5-এ উল্লিখিত বিভাগগুলিতে বিভক্ত হতে পারে।

বর্তমান আই_ডিএকই চিত্রে নির্দেশিত হিসাবে চ্যানেল মাধ্যমে ভোল্টেজ পরিসীমা তৈরি করতে পারে। ফলস্বরূপ পি-টাইপ উপাদানের উপরের অঞ্চলটি প্রায় 1.5 ডিগ্রি বিপরীত পক্ষপাতিত্বযুক্ত হতে চলেছে, নিম্ন অঞ্চলটি কেবলমাত্র 0.5 ডিগ্রি বিপরীত পক্ষপাতযুক্ত হয়ে থাকবে with

পুরো চ্যানেলটিতে পি-এন জংশনটি বিপরীত পক্ষপাতযুক্ত যে বিন্দুটি একই চিত্রটিতে প্রদর্শিত শূন্য অ্যাম্পিয়ার সহ একটি গেট স্রোতের জন্ম দেয়। এই বৈশিষ্ট্য যা আমার দিকে নিয়ে যায়_জি= 0 এ জেফেটের একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য।

যেমন ভি_{ডি এস}সম্ভাবনা 0 থেকে কয়েকটি ভোল্টে বৃদ্ধি পেয়েছে, ওহমের আইন এবং আই এর প্লট অনুসারে বর্তমান বৃদ্ধি হয়_ডিলাইন 5_{ডি এস}চিত্র 5.5 হিসাবে প্রমাণিত দেখতে পারেন।

চক্রান্তের তুলনামূলক সরলতা দেখায় যে ভি এর নিম্ন মানের অঞ্চলের জন্য the_{ডি এস}, প্রতিরোধের মূলত অভিন্ন। যেমন ভি_{ডি এস}চিত্র 5.5 এ ভিপি হিসাবে পরিচিত একটি স্তরটি উত্থিত হয় এবং নিকটবর্তী হয়, হ্রাস অঞ্চলগুলি চিত্র 5.4 এ দেওয়া হিসাবে আরও প্রশস্ত হয়।

এটি চ্যানেলের প্রস্থকে আপাতভাবে হ্রাস করার ফলাফল দেয়। পরিবাহিত হ্রাস পর্বত প্রতিরোধের বৃদ্ধির দিকে নিয়ে যায় যা চিত্রের বক্ররেখা বৃদ্ধি করে 5..6।

রেখাঙ্কনটি যত বেশি অনুভূমিক আকারে পায় তত বেশি প্রতিরোধ হয়, এটি নির্দেশ করে যে প্রতিরোধ অনুভূমিক অঞ্চলে 'অসীম' ওহমের দিকে চলেছে। যখন ভি_{ডি এস}এটি এমন একটি মাত্রায় বৃদ্ধি পায় যেখানে এটি প্রদর্শিত হবে যে চিত্র হ্রাসকরণ অঞ্চলগুলি চিত্র 5.7-এ প্রদর্শিত হিসাবে 'যোগাযোগ' করতে পারে, এটি চিমটি অফ হিসাবে পরিচিত পরিস্থিতির জন্ম দেয়।

যে পরিমাণ দ্বারা ভি_{ডি এস}এই অবস্থার বিকাশকে বলা হয় চিমটি কাটা ভোল্টেজ এবং এটি ভি দ্বারা প্রতীকী_পিচিত্র 5.5 হিসাবে উপস্থাপিত। সাধারণভাবে, পিঞ্চ-অফ শব্দটি বিভ্রান্তিকর কারণ এটি বর্তমান আইটিকে বোঝায়_ডিএটি 'পিচড' হয়ে গেছে এবং 0 এ পড়ে যায় Fig..6 চিত্র হিসাবে প্রমাণিত হয়েছে, এই ক্ষেত্রে খুব কমই স্পষ্ট দেখা যাচ্ছে। আমি_ডিআমি হিসাবে চিহ্নিত একটি স্যাচুরেশন স্তর ধরে রাখে s_{ডিএসএস}চিত্র 5.5।

সত্যটি একটি খুব সামান্য চ্যানেল অব্যাহত রয়েছে, উল্লেখযোগ্যভাবে উচ্চ ঘনত্বের বর্তমান সহ।

আইডিটি বিন্দু ছাড়বে না চিমটি কাটা এবং চিত্র 5.5 এ উল্লিখিত হিসাবে পরিপূর্ণতা স্তর সংরক্ষণ করে নিম্নলিখিত প্রমাণের সাথে নিশ্চিত করা হয়েছে:

যেহেতু কোনও ড্রেন প্রবাহ নেই তাই পি-এন জংশনের সাথে বিপরীত পক্ষপাতের পরিবর্তিত পরিমাণ নির্ধারণের জন্য এন-চ্যানেল উপাদানের মাধ্যমে বিভিন্ন সম্ভাব্য স্তরের সম্ভাবনা হ্রাস করে। শেষের ফলাফল হ্রাসপ্রাপ্ত অঞ্চল বিতরণের ক্ষতি যা ট্রিগার করেছিল চিমটি কাটা দিয়ে শুরু.

যেমন আমরা ভি_{ডি এস}উপরে ভি_পি, ঘনিষ্ঠ যোগাযোগের অঞ্চল যেখানে দুটি হ্রাস অঞ্চলগুলি চ্যানেলের পাশাপাশি দৈর্ঘ্যে একে অপরের সাথে বৃদ্ধি পাবে। তবে আইডি স্তরটি মূলত অপরিবর্তিত থাকে।

এই মুহূর্তে ভি_{ডি এস}ভি এর চেয়ে বেশি_পি, জেফেট বর্তমান উত্সের বৈশিষ্ট্যগুলি অর্জন করে।

কোনও জেফেটে চিত্র 5.8 এ প্রমাণিত হিসাবে I নির্ধারিত হয়_ডি= আমি_{ডিএসএস}, তবে ভোল্টেজ ভি_{ডি এস}ভিপি এর চেয়ে বেশি সংযুক্ত লোড দ্বারা প্রতিষ্ঠিত।

আইডিএসএস স্বরলিপি নির্বাচন এই সত্যের উপর ভিত্তি করে যে এটি ড্রেন টু সোর্স কারেন্টটি গেট টু সোর্স জুড়ে একটি সংক্ষিপ্ত সার্কিট লিঙ্ক রয়েছে।

আরও তদন্ত আমাদের নিম্নলিখিত মূল্যায়ন দেয়:

আমি_{ডিএসএস}একটি জেফেটের জন্য সর্বাধিক ড্রেন প্রবাহ এবং এটি V অবস্থার দ্বারা প্রতিষ্ঠিত_জিএস= 0 ভি এবং ভি_{ডি এস}> | ভিপি |

চিত্র 5.5 ভি মধ্যে নোট করুন_জিএসবক্রের সম্পূর্ণ প্রসারনের জন্য 0 ভি। নিম্নলিখিত বিভাগগুলিতে আমরা শিখব কিভাবে চিত্র 5.6 বৈশিষ্ট্যগুলি ভি এর স্তর হিসাবে প্রভাবিত হয়_জিএসবৈচিত্রময় হয়।

ভি_জিএস <0V

গেট এবং উত্স জুড়ে প্রয়োগ করা ভোল্টেজটি ভিজিএস হিসাবে চিহ্নিত করা হয়, যা জেফইটি কার্যক্রম পরিচালনা করার জন্য দায়ী।

আমরা যদি কোনও বিজেটি-র উদাহরণ গ্রহণ করি, ঠিক যেমন I এর বক্ররেখা_গবনাম ভি_এইআমি বিভিন্ন স্তরের জন্য নির্ধারিত হয়_খএকইভাবে আমি এর বক্ররেখা_ডিবনাম ভি_{ডি এস}ভি বিভিন্ন ধরণের জন্য_জিএসএকটি জেফইটি অংশের জন্য তৈরি করা যেতে পারে।

এর জন্য গেট টার্মিনাল উত্স সম্ভাবনার স্তরের নীচে একটি নিরন্তর কম সম্ভাবনায় সেট করা আছে।

নীচের চিত্র 5.9 উল্লেখ করে, হ্রাস করা ভি এর জন্য গেট / উত্স টার্মিনাল জুড়ে একটি -1V প্রয়োগ করা হয়_{ডি এস}স্তর

নেতিবাচক সম্ভাব্য পক্ষপাতের উদ্দেশ্য ভি_জিএসভি এর পরিস্থিতি অনুরূপ হ্রাসকারী অঞ্চলগুলি বিকাশ করা_জিএস= 0, কিন্তু উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস ভি_{ডি এস}।

এর ফলে গেটটি ভি এর নিম্ন স্তরের সাথে একটি স্যাচুরেশন পয়েন্ট অর্জন করে_{ডি এস}চিত্র 5.5 হিসাবে উল্লিখিত (ভ_জিএস= -1 ভি)।

আমার জন্য সংশ্লিষ্ট স্যাটুরটিও স্তর_ডিহ্রাস পেতে পারে এবং আসলে ভী হিসাবে কমতে চলেছে_জিএসআরও নেতিবাচক করা হয়।

চিত্র 5-10 এ আপনি স্পষ্ট দেখতে পাচ্ছেন যে কীভাবে চিমটি-অফ ভোল্টেজ ভি হিসাবে প্যারাবলিক আকারের সাথে নেমে যায়_জিএসআরও বেশি নেতিবাচক হয়ে ওঠে।

অবশেষে, যখন ভি_জিএস= -ভি_পি, এটি একটি স্যাচুরেশন স্তর স্থাপনের জন্য যথেষ্ট নেতিবাচক হয়ে যায় যা শেষ পর্যন্ত 0 এমএ হয়। এই স্তরে, জেফেট সম্পূর্ণ 'অফ অফ' হয়ে আছে।

ভি এর স্তর_জিএসযার কারণ আমি_ডি0 এমএ পৌঁছাতে ভি দ্বারা চিহ্নিত করা হয়_জিএস= ভি_পি, যার মধ্যে ভি_পিএন-চ্যানেল ডিভাইসের জন্য নেতিবাচক ভোল্টেজ এবং পি-চ্যানেল জেএফইটিগুলির জন্য একটি ধনাত্মক ভোল্টেজ।

সাধারণত, আপনি বেশিরভাগ জেএফইটি ডেটাশিট প্রদর্শন করতে পারেন চিমটি কাটা ভোল্টেজ ভি হিসাবে নির্দিষ্ট_{জিএস (বন্ধ)}ভি এর পরিবর্তে_পি।

উপরের চিত্রের মধ্যে চিমটি-অফ লোকসের ডানদিকে ক্ষেত্রফল হ'ল জায়গাটি যা রৈখিক পরিবর্ধকগুলিতে বিকৃতি মুক্ত সংকেত অর্জনের জন্য ব্যবহৃত হয় convention এই অঞ্চলটিকে সাধারণত বলা হয় ধ্রুবক-বর্তমান, স্যাচুরেশন বা লিনিয়ার প্রশস্তকরণ অঞ্চল।

ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত প্রতিরোধক

একই চিত্রের মধ্যে চিমটি-অফ লোকসের বাম দিকে যে অঞ্চলটিকে বলা হয় ওহমিক অঞ্চল বা ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত প্রতিরোধের অঞ্চল।

এই অঞ্চলে ডিভাইসটি বাস্তবে একটি পরিবর্তনশীল রোধ হিসাবে চালিত হতে পারে (উদাহরণস্বরূপ স্বয়ংক্রিয় লাভ নিয়ন্ত্রণ অ্যাপ্লিকেশন), এর প্রতিরোধের প্রয়োগ গেট / উত্স সম্ভাবনার মাধ্যমে নিয়ন্ত্রণ করা হয়।

আপনি দেখতে পাচ্ছেন যে প্রতিটি বক্ররেখার opeাল যা ভি এর জন্য জেফেটের ড্রেন / উত্স প্রতিরোধেরও নির্দেশ করে_{ডি এস} পিপ্রয়োগ করা ভি এর কোনও ক্রিয়াকলাপ হয়_জিএসসম্ভাবনা

আমরা যেমন নেতিবাচক সম্ভাবনার সাথে ভিজিএসকে আরও উন্নত করি, প্রতিটি বক্ররেখা theালু আরও এবং আরও অনুভূমিক হয়, আনুপাতিকভাবে প্রতিরোধের মাত্রা বাড়িয়ে তোলে hib

আমরা নীচের সমীকরণের মাধ্যমে ভিজিএস ভোল্টেজের সাথে সম্মতি সহ প্রতিরোধের মাত্রায় একটি ভাল প্রাথমিক অনুমান পেতে সক্ষম হয়েছি।

পি-চ্যানেল জেএফইটি কাজ করছে

নীচে দেখানো হিসাবে পি-চ্যানেল জেএফইটি-র অভ্যন্তরীণ বিন্যাস এবং নির্মাণ এন-চ্যানেল সমমনা অংশের সাথে যথাযথভাবে অভিন্ন, ব্যতীত নীচে দেখানো হিসাবে, পি- এবং এন-টাইপ উপকরণ অঞ্চলগুলি বিপরীত রয়েছে:

ভোল্টেজ ভিজিএস এবং ভিডিএসের প্রকৃত মেরুবৃত্তির সাথে বর্তমান প্রবাহের দিকনির্দেশগুলিও বিপরীত হিসাবে দেখা যেতে পারে। কোনও পি-চ্যানেল জেএফইটির ক্ষেত্রে, গেট / উত্স জুড়ে ইতিবাচক সম্ভাবনা বাড়ানোর প্রতিক্রিয়ায় চ্যানেলটি সীমাবদ্ধ হবে।

ভি এর ডাবল সাবস্ক্রিপ্ট সহ স্বরলিপি_{ডি এস}ভি এর জন্য নেতিবাচক ভোল্টেজের জন্ম দেবে_{ডি এস}চিত্র 5.1.1 এর বৈশিষ্ট্য অনুসারে প্রদর্শিত হয়েছে। এখানে, আপনি আমি খুঁজে পেতে পারেন_{ডিএসএস}6 এমএ এ, যখন ভি তে একটি চিম্টি-অফ ভোল্টেজ_জিএস= + 6 ভি।

ভি এর জন্য আপনার বিয়োগ চিহ্নের উপস্থিতির কারণে দয়া করে বিস্মিত হবেন না_{ডি এস}। এটি কেবল সূচিত করে যে উত্সটি ড্রেনের চেয়ে উচ্চতর সম্ভাবনা বহন করে।

আপনি দেখতে পাবেন যে উচ্চ ভি এর জন্য বক্ররেখা_{ডি এস}স্তরগুলি হঠাৎ করে এমন মানগুলিতে বৃদ্ধি পায় যেগুলি সীমাহীন দেখায়। উল্লম্বভাবে নির্দেশিত উত্থান একটি ভাঙ্গন পরিস্থিতির প্রতীক, যার অর্থ চ্যানেল ডিভাইসের মাধ্যমে বর্তমান সময়ের এই সময়ে পুরোপুরি বাহ্যিক সার্কিটরি দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়।

যদিও এন-চ্যানেল ডিভাইসের জন্য চিত্র 5.10 এ এটি স্পষ্ট নয়, তবে এটি যথেষ্ট উচ্চ ভোল্টেজের অধীনে একটি সম্ভাবনা হতে পারে।

এই অঞ্চলটি নির্মূল করা যেতে পারে যদি ভি_{ডিএস (সর্বোচ্চ)}ডিভাইসের ডেটাশিট থেকে উল্লেখ করা হয়েছে, এবং ডিভাইসটি এমনভাবে কনফিগার করা হয়েছে যাতে আসল ভি_{ডি এস}মানটি কোনও ভি এর জন্য এই উল্লেখযোগ্য মানের চেয়ে কম_জিএস।