একটি ডায়োড একটি দ্বি-টার্মিনাল অর্ধপরিবাহী বৈদ্যুতিন উপাদান যা অ-লাইন বর্তমান-ভোল্টেজের বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে। এটি এমন একদিকে স্রোতের অনুমতি দেয় যেখানে সামনের দিকে পক্ষপাতের সময় এর প্রতিরোধী খুব কম (প্রায় শূন্য প্রতিরোধের) হয়। একইভাবে, অন্য দিকে, এটি স্রোতের প্রবাহকে অনুমতি দেয় না - কারণ এটি বিপরীত পক্ষপাতের সময় খুব উচ্চ-প্রতিরোধের (অনন্ত প্রতিরোধের ওপেন সার্কিট হিসাবে কাজ করে) সরবরাহ করে offers
গুন ডায়োড
দ্য ডায়োডগুলি বিভিন্ন ধরণের শ্রেণিবদ্ধ করা হয় তাদের কাজের নীতি এবং বৈশিষ্ট্য উপর ভিত্তি করে। এর মধ্যে জেনেরিক ডায়োড, স্কটি ডায়োড, শকলে ডায়োড, কনস্ট্যান্ট-কারেন্ট ডায়োড, জেনার ডায়োডের , হালকা নির্গমনকারী ডায়োড, ফোটোডিওড, টানেল ডায়োড, ভারেক্টর, ভ্যাকুয়াম নল, লেজার ডায়োড, পিন ডায়োড, পেলটিয়ার ডায়োড, গন ডায়োড এবং আরও অনেক কিছু। একটি বিশেষ ক্ষেত্রে, এই নিবন্ধটি গন ডায়োডের কাজ, বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশন সম্পর্কে আলোচনা করে।
গুন ডায়োড কী?
গুন ডায়োডকে এক ধরণের ডায়োড হিসাবে বিবেচনা করা হয় যদিও এটিতে অন্যান্য ডায়োডের মতো কোনও সাধারণ পিএন ডায়োড জংশন থাকে না তবে এটি দুটি ইলেক্ট্রোড নিয়ে গঠিত। এই ডায়োডকে স্থানান্তরিত বৈদ্যুতিন ডিভাইস হিসাবেও ডাকা হয়। এই ডায়োডটি একটি নেতিবাচক ডিফারেনশিয়াল রেজিস্ট্যান্স ডিভাইস, যা ঘন ঘন উত্পাদনের জন্য লো-পাওয়ার দোলক হিসাবে ব্যবহৃত হয় মাইক্রোওয়েভ । এটিতে কেবলমাত্র এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর থাকে যার মধ্যে ইলেক্ট্রনগুলি সংখ্যাগরিষ্ঠ চার্জ ক্যারিয়ার হয়। মাইক্রোওয়েভের মতো সংক্ষিপ্ত রেডিও তরঙ্গ তৈরি করতে, এটি গুন প্রভাবটি ব্যবহার করে।
গুন ডায়োড স্ট্রাকচার
চিত্রটিতে প্রদর্শিত কেন্দ্রীয় অঞ্চলটি একটি সক্রিয় অঞ্চল, যা প্রায় 8 থেকে 10 মাইক্রোমিটার বেধের সাথে সঠিকভাবে এন-টাইপ গাএ এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটি ডপড। সক্রিয় অঞ্চলটি ওহমিক পরিচিতিগুলির সাথে দুটি অঞ্চলের মধ্যে স্যান্ডউইচড। ডায়োডের অত্যধিক গরম এবং অকাল ব্যর্থতা এড়াতে এবং তাপীয় সীমা বজায় রাখার জন্য একটি তাপ সিঙ্ক সরবরাহ করা হয়।
এই ডায়োডগুলির নির্মাণের জন্য, শুধুমাত্র এন-টাইপ উপাদান ব্যবহার করা হয়, যা কেবলমাত্র এন-টাইপ উপকরণগুলির জন্য প্রযোজিত ট্রান্সফার ইলেক্ট্রন প্রভাবের কারণে হয় এবং পি-ধরণের উপাদানের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য নয়। ডোপিংয়ের সময় সক্রিয় স্তরের বেধের পরিবর্তে ফ্রিকোয়েন্সিটি বিভিন্ন হতে পারে।
গন ইফেক্ট
এটি ১৯ B০ এর দশকে জন ব্যাটসকোম্ব গন আবিষ্কার করেছিলেন গাএএস (গ্যালিয়াম আর্সেনাইড) এর উপর তাঁর গবেষণার পরে, তিনি তাঁর পরীক্ষাগুলির ফলাফলগুলিতে একটি শব্দ লক্ষ্য করেছিলেন এবং মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সিগুলিতে স্থির বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের থেকে বৈদ্যুতিক দোলনের প্রজন্মের চেয়ে বৃহত্তর মাত্রা সহকারে এটি প্রাপ্য ছিলেন প্রান্তিক মান। এটি জন ব্যাটিস্কোম্ব গুন আবিষ্কার করার পরে এটি গুন এফেক্ট হিসাবে নামকরণ করা হয়েছিল।
গন এফেক্টটিকে মাইক্রোওয়েভ পাওয়ারের জেনারেশন (প্রায় কয়েক গিগাহার্টজের মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি সহ শক্তি) হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা যেতে পারে যখনই কোনও সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে ভোল্টেজ জটিল ভোল্টেজ মান বা প্রান্তিক ভোল্টেজের মানকে ছাড়িয়ে যায়।
গন ডায়োড অসিলেটর
গন ডায়োড অসিলেটর
গন ডায়োডগুলি 10 গিগাহার্জ থেকে টিএইচজেড পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি সহ মাইক্রোওয়েভ তৈরির জন্য দোলক তৈরিতে ব্যবহৃত হয়। এটি একটি নেতিবাচক ডিফারেন্সিয়াল রেজিস্ট্যান্স ডিভাইস - এটি স্থানান্তর হিসাবেও ডাকা হয় বৈদ্যুতিন ডিভাইস দোলক - এটি ডিএন বায়াস ভোল্টেজযুক্ত গুন ডায়োড সমন্বিত একটি সুরযুক্ত সার্কিট। এবং, এটিকে ডায়োডকে নেতিবাচক প্রতিরোধের অঞ্চলে পক্ষপাতদুষ্ট বলে অভিহিত করা হয়।
এর কারণে, সার্কিটের মোট ডিফারেনশনাল রেজিস্ট্যান্স শূন্য হয়ে যায় কারণ ডায়োডের নেতিবাচক প্রতিরোধের ফলে সার্কিটের ইতিবাচক প্রতিরোধের ফলে বাতিল হয় যার ফলে দোলন তৈরি হয়।
গুন ডায়োডের কাজ করা
এই ডায়োডটি একক টুকরো দিয়ে তৈরি এন-টাইপ অর্ধপরিবাহী যেমন গ্যালিয়াম আর্সেনাইড এবং ইনপি (ইন্ডিয়াম ফসফাইড)। গাএ এবং অন্যান্য কিছু অর্ধপরিবাহী পদার্থগুলির কেবলমাত্র দুটি এনার্জি ব্যান্ড থাকার পরিবর্তে তাদের বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামোতে একটি অতিরিক্ত শক্তি ব্যান্ড থাকে। ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং পরিবাহী ব্যান্ড যেমন সাধারণ সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ। এই গাএ এবং অন্যান্য কিছু অর্ধপরিবাহী উপকরণ তিনটি শক্তি ব্যান্ড নিয়ে গঠিত এবং অতিরিক্ত তৃতীয় ব্যান্ডটি প্রাথমিক পর্যায়ে খালি রয়েছে।
যদি এই ডিভাইসে কোনও ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তবে বেশিরভাগ প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ সক্রিয় অঞ্চল জুড়ে উপস্থিত হয়। অপ্রতুল বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা সম্পন্ন পরিবাহী ব্যান্ডের ইলেক্ট্রনগুলি তৃতীয় ব্যান্ডে স্থানান্তরিত হয় কারণ এই বৈদ্যুতিনগুলি প্রয়োগিত ভোল্টেজ দ্বারা ছড়িয়ে ছিটিয়ে থাকে। গাএ এর তৃতীয় ব্যান্ডের চলন ব্যান্ডের চেয়ে কম গতিশীলতা রয়েছে is
এর কারণে, ফরোয়ার্ড ভোল্টেজের বৃদ্ধি ক্ষেত্রের শক্তি বৃদ্ধি করে (ক্ষেত্র শক্তির জন্য যেখানে প্রয়োগিত ভোল্টেজ প্রান্তিক ভোল্টেজের চেয়ে বেশি হয়), তারপরে কার্যকর ভরগুলি তাদের গতি হ্রাস করে যে রাজ্যে পৌঁছে যায় এবং এবং সুতরাং, বর্তমান হ্রাস হবে।
সুতরাং, যদি ক্ষেত্রের শক্তি বৃদ্ধি করা হয়, তবে প্রবাহের গতি হ্রাস পাবে এটি ভি -1 সম্পর্কের একটি নেতিবাচক বর্ধনশীল প্রতিরোধের অঞ্চল তৈরি করে। সুতরাং, ভোল্টেজ বৃদ্ধি ক্যাথোডে একটি স্লাইস তৈরি করে অ্যানোডে পৌঁছে প্রতিরোধের বৃদ্ধি করবে। তবে, একটি ধ্রুবক ভোল্টেজ বজায় রাখতে, ক্যাথোডে একটি নতুন স্লাইস তৈরি করা হয়। একইভাবে, যদি ভোল্টেজ হ্রাস পায় তবে বিদ্যমান বিদ্যমান স্লাইস নিভিয়ে দিয়ে প্রতিরোধ ক্ষমতা হ্রাস পাবে।
গুন ডায়োডের বৈশিষ্ট্য
গুন ডায়োড বৈশিষ্ট্য
গুন ডায়োডের বর্তমান-ভোল্টেজের সম্পর্কের বৈশিষ্ট্যগুলি তার নেতিবাচক প্রতিরোধের অঞ্চলটির সাথে উপরের গ্রাফে প্রদর্শিত হয়। এই বৈশিষ্ট্যগুলি টানেলের ডায়োডের বৈশিষ্ট্যের সাথে সমান।
উপরের গ্রাফে যেমন দেখানো হয়েছে, প্রাথমিকভাবে এই ডায়োডে কারেন্টটি বাড়তে শুরু করে, তবে নির্দিষ্ট ভোল্টেজের স্তরে পৌঁছানোর পরে (নির্দিষ্ট ভোল্টেজের মানকে যা থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ মান হিসাবে ডাকা হয়) পরে আবার বাড়ার আগে বর্তমান হ্রাস পায়। যে অঞ্চলটি বর্তমান ফলসকে একটি নেতিবাচক প্রতিরোধের অঞ্চল হিসাবে অভিহিত করা হয় এবং এর কারণে এটি দোলায়। নেতিবাচক প্রতিরোধের অঞ্চলে, এই ডায়োড উভয় দোলক এবং পরিবর্ধক হিসাবে কাজ করে, এই অঞ্চলে যেমন ডায়োড সংকেতকে প্রশস্ত করতে সক্ষম হয়।
গুন ডায়োডের অ্যাপ্লিকেশন
গুন ডায়োড অ্যাপ্লিকেশন
- 100mW 5GHz থেকে 1W 35GHz আউটপুট পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি উৎপন্ন করতে গন দোলক হিসাবে ব্যবহৃত হয়। এই গন দোলকগুলির জন্য ব্যবহৃত হয় রেডিও যোগাযোগ , সামরিক এবং বাণিজ্যিক রাডার উত্স।
- ট্রেনের লাইনচালনা এড়ানোর জন্য, অনর্থক সনাক্তকরণের জন্য সেন্সর হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- কয়েকশ গিগাহার্টজ পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি ব্যাপ্তি সহ দক্ষ মাইক্রোওয়েভ জেনারেটর হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- রিমোট কম্পন সনাক্তকারী এবং ঘূর্ণন গতি পরিমাপের জন্য ব্যবহৃত হয় টেকোমিটার ।
- মাইক্রোওয়েভ বর্তমান জেনারেটর হিসাবে ব্যবহৃত (পালসড গন ডায়োড জেনারেটর)।
- মাইক্রোওয়েভ ট্রান্সমিটারগুলিতে খুব কম শক্তিগুলিতে মাইক্রোওয়েভ রেডিও তরঙ্গ উত্পন্ন করতে ব্যবহৃত হয়।
- অর্ধপরিবাহী ইনজেকশন লেজারগুলির সংশোধনের জন্য মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্সগুলিতে দ্রুত নিয়ন্ত্রণকারী উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- ডায়োড ফ্রিকোয়েন্সি সহ গুন অসিলেটর ফ্রিকোয়েন্সি গুণ করে সাব-মিলিমিটার তরঙ্গ অ্যাপ্লিকেশন হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- কিছু অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে দরজা খোলার সেন্সর, প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ ডিভাইস, বাধা অপারেশন, ঘের সুরক্ষা, পথচারী সুরক্ষা ব্যবস্থা, রৈখিক দূরত্ব সূচক, স্তর সেন্সর, আর্দ্রতা সামগ্রীর পরিমাপ এবং অনুপ্রবেশকারী এলার্ম।
আমরা আশা করি যে আপনি গুন ডায়োড, গুন ডায়োডের বৈশিষ্ট্য, গুন এফেক্ট, গুন ডায়োড দোলক এবং সংক্ষিপ্তভাবে অ্যাপ্লিকেশনগুলির সাথে এর কাজ সম্পর্কে ধারণা পেয়েছেন। গন ডায়োড সম্পর্কিত আরও তথ্যের জন্য, নীচে মন্তব্য করে আপনার প্রশ্নগুলি পোস্ট করুন।
ছবির ক্রেডিট:
- গুন ডায়োড দ্বারা elcomtechno
- গুন ডায়োড স্ট্রাকচার দ্বারা রেডিও-ইলেক্ট্রনিক্স
- গুন ডায়োড অসিলেটর দ্বারা মিলিমিটার ওয়েভ
- গুন ডায়োডের বৈশিষ্ট্যগুলি দ্বারা আপনি-বিএস
- গুন ডায়োডের অ্যাপ্লিকেশনগুলি দ্বারা imimg
